2014 十一月

薄膜电容器

具有更多端子配置和更高电容值的缓冲电容器


TDK公司扩展了旗下爱普科斯(EPCOS) 缓冲薄膜电容器产品系列,现可提供具有17种不同的端子配置的产品,以保护市面上更多的IGBT模块不受电压峰值损坏。


MKP B32656S*至B32658S*系列缓冲电容器具有超高的脉冲强度和触点可靠性,同时具有极低的ESL值;电压范围为850V DC至2000V DC,电容值范围为68 nF至5.6 µF;共有17种镀锡铜端子配置可选,孔距为19.5至63 mm。所有系列的电容器工作温度最高可达+110 °C。



术语

  • IGBT:IGBT指绝缘栅双极型晶体管,是一种半导体元件,主要应用于变频器中的电力开关

主要应用

  • 保护变频器中的IGBT模块不受电压峰值损坏

主要特点与优势

  • 共17中端子配置可选
  • 高脉冲强度,工作电压高达2000 V DC
  • 高电容值,最高可达5.6 µF

关键数据

系列额定电压
[V DC]
电容值
[μF]
最大温度
[°C]
端子配置
B32656S* 至B32658S*850至20000.068至5.6110 17

下载

分享(转载)

阅读更多